Name: Vishay Siliconix SI7621DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7621DN-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI7621DN-T1-GE3

Artikelnummer:

SI7621DN-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8

Datenblätte:

1.SI7621DN-T1-GE3.pdf ···: PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf

Datenblätter
SI7621DN.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI7621DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7621DN-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® 1212-8
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 3.9A, 4.5V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® 1212-8
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2 nC @ 5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)
Grundproduktnummer	SI7621
SI7621DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI7621DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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